Лаборатория физики полупроводников и полупроводниковых структур

Лаборатория физики полупроводниковЛаборатория физики полупроводников организована в 1959 году. Руководит подразделением кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Гаджиев Гаджи Магомедрасулович. Научные исследования лаборатории направлены на изучение процессов транспорта в полупроводниках и структурах на их основе в условиях воздействия большого градиента температуры (БГТ), низких температур (НТ), квантующих магнитных полей (КМП) и высокочастотного переменного напряжения. В настоящее время в лаборатории работают 13 сотрудников, шесть из которых имеют ученую степень. По результатам научных исследований сотрудниками лаборатории опубликованы статьи в советских, российских академических изданиях и иностранных журналах; получены авторские свидетельства СССР и России и патенты зарубежных стран, выпушены 6 сборников научных трудов. Исследование лаборатории поддержаны двумя грантами РФФИ (2001, 2006).

В настоящее время в лаборатории под руководством Гаджиева Г.М. ведутся исследования по направлениям:

  • Явления переноса в гетероструктурах при БГТ и сильных магнитных полях.
  • Адмиттансная спектроскопия полупроводниковых структур.
  • Нелинейные явления и процессы самоорганизации в полупроводниках и структурах на их основе.

Сотрудники лаборатории

  • Гаджиев Г.М.

    Гаджиев Гаджи Магомедрасулович

    Заведующий лабораторией
    • кандидат физико-математических наук
    • e-mail: HadzhyGM@mail.ru
    • тел: +7(8722)51-80-27
  • Гаджиалиев М.М.

    Гаджиалиев Магомед Магомедович

    Главный научный сотрудник
  • Мусаев А.М.

    Мусаев Ахмед Магомедович

    Ведущий научный сотрудник
    • кандидат физико-математических наук
    • e-mail: akhmed-musaev@yandex.ru
    • тел: +7(8722)51-80-27
  • Исмаилов Ш.М.

    Исмаилов Шахабас Магомедович

    Ведущий научный сотрудник
    • кандидат физико-математических наук
    • тел: +7(8722)62-89-20
  • Пирмагомедов З.Ш.

    Пирмагомедов Зияутдин Шахмурадович

    Научный сотрудник
  • Баширов Р.Р.

    Баширов Рустам Радифович

    Старший научный сотрудник
  • Велиханов А.Р.

    Велиханов Артур Рауфович

    Научный сотрудник
  • Эфендиева Т.Н.

    Эфендиева Татьяна Насировна

    Научный сотрудник
  • Абакарова Н.С.

    Абакарова Наида Сулеймановна

    Старший научный сотрудник
  • Степуренко А.А.

    Степуренко Анатолий Александрович

    Ведущий научный сотрудник
  • Гумметов А.Э.

    Гумметов Адиль Эюбович

    Научный сотрудник
  • Алиев Р.А.

    Алиев Расул Абдурахманович

    Инженер-исследователь

Основные научные публикации сотрудников лаборатории за последние годы:

  • Даунов М.И., Гаджиалиев М.М., Мусаев А.М., Хохлачев П.П. Электрофизические свойства оксида цинка при всестороннем давлении до 25ГПа.//Изв. РАН, серия  физическая, 2009, т.73, 1053-1055.
  • Гаджиалиев М.М., Пирмагомедов З.Ш. «Температурная зависимость термоэдс диска Корбино из InSb в  квантующем  магнитном поле». ФТП, 2009, т.43, в.8,  с.1032-1033.
  • Gadjialiev M. M., Pirmagomedov Z. Sh. Effect of Magnetic Field on the Current–Voltage Characteristic of the n-GaAs–p-Ge   heterojunction. // Semiconductors, 42,pp. 1034-1036, 2008.
  • Баширов Р.И., Гаджиалиев М.М., Пирмагомедов З.Ш. Рассеяние электрона с переворотом спина в антимониде и   арсениде  индия ФТТ, 2009, том 51, в. 4, с.643- 645.
  • Mollaev A.Yu., Kamilov I.K., Arslanov R.K., Zalibekov U.Z., Arslanov T.R., Bashirov R.R.  Baric and temperature dependences of kinetic coefficients in p-Cd0.7Mn0.3GeAs2 atatmospheric and high pressure // Phys. Stat. Solidi B. 2009. V.246, N3. P.655.
  • Kamilov I.K., Daunov M.I., R.R.Bashirov, Mollaev A.Yu., Arslanov R.K., Gabibbov S.F., Arslanov T.R. About deep impurity centers in InAs // Phys. Stat. Solidi B. 2009. V.246,   N3. P586.
  • I.K. Kamilov, M.I. Daunov, R.R. Bashirov, M.M. Gadjialiev, A.M. Musaev, P.P. Khokhlachev Electrical properties of bulk n- ZnO single crystals under hydrostatic pressure. Phys. Status Solidi B 246, No. 3, P. 664-666 (2009).
  • Велиханов А.Р. Электропластичность монокристаллов кремния n-и –p типов. Известия Вузов. Материалы электронной   техники. №2,2008,с.25-28.
  •  И.К. Камилов, К.М. Алиев, Х.О. Ибрагимов, Н.С. Абакарова/ Отклик нелинейной системы (на примере туннельного диода) на внешние возмущения большой амплитуды. // Прикладная физика.- 2011.- том 1.- с. 126.
  •  К.М. Алиев, И.К. Камилов, Х.О. Ибрагимов, Н.С. Абакарова. /Ступенчатые осцилляции тока в туннельных и высокочастотных диодах. // Письма в ЖТФ.- 2011.-т. 37.-№17.- с.42
  •  И.К. Камилов, А.А. Степуренко, А.Э. Гумметов/ Гальваномагнитные явления в продольном автосолитоне в p-InSb в поперечном и продольном магнитных полях. // ФТП.- 2011.- т. 45.- №4.- с.456
  •  Гаджиалиев М.М., Камилов И.К., Пирмагомедов З.Ш./ Термостимулированный переход между собственной и примесной проводимостями. // ФТП.- 2011.- т. 45.- №4.- с.48-49
  •  К.М. Алиев, И.К. Камилов, Х.О. Ибрагимов, Н.С. Абакарова / Проводимость полупроводниковых диодов при одновременном воздействии на них постоянного и переменного напряжений. // Журнал технической физики.-2011.- том 81.- вып. 2.- с. 141-143
  •  К.М. Алиев, И.К. Камилов, Х.О. Ибрагимов, Н.С. Абакарова / Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа, гистерезис и осцилляции на вольт-амперных характеристиках сверхвысокочастотных диодов.// ФТП.-2012.-т. 46.-№8.-с. 1082-1087
  •  И.К. Камилов, А.А. Степуренко, А.Э. Гумметов/ Автосолитоны в монокристаллах низкоомного антимонида индия и теллура в магнитном поле.// ФТП. -2012.- т. 46.- №7.- с.918-921
  •  И.К. Камилов, А.А. Степуренко, А.Э. Гумметов/ Спиновая поляризация электронов и ток в продольном автосолитоне в p-InSb в продольном магнитном поле. // ФТП. -2014.- т. 48.- №2.- с.145-148
  •  К. М. Алиев, И. К. Камилов, Х. О. Ибрагимов, Н. С. Абакарова./ Влияние внешнего шумового возмущения на проводимость нелинейных цепей из туннельных диодов.// Радиотехника и электроника.- 2014.- т.59.- №1.- с. 102-104.
  •  Kamilov I.K., Stepurenko A.A., Gummetov A.E. «Diamagnetism of  longitudinal autosoliton in p-InSb in longitudinal magnetic field». International Journal of Modern Physics and Applications, 2015, V.1, №4, p.169-174.
  •  К.М. Алиев, И.К. Камилов, Х.О. Ибрагимов, Н.С. Абакарова./ Отклик нелинейных цепей из элементов с отрицательным дифференциальным сопротивлением на внешнее возмущение.// Физика и техника полупроводников.- 2015.- т. 49.- №3.- с. 413-417
  •  Х.О. Ибрагимов, К.М. Алиев, Н.С. Абакарова. / Сценарий Фейгенбаума-Шарковского-Магницкого перехода к хаосу в цепи с туннельным диодом. // ЖТФ, 2015, т. 85, №8, с.150-154.
  • G. M. Gadzhiev, Z. Sh. Pirmagomedov, and Sh. R. Mutalibov. Influence of the multiple bragg diffraction on the light reflection spectra of inverted opal-gAn nanocomposites// Russian Physics Journal, Vol. 55, No. 10, March, 2013.
  • Abutrab A. Aliverdiev, Dimitri Batani, Luca Antonelli, Katarzyna Jakubowska, Riccardo Dezulian, Anise A. Amirova, Gaji M. Gajiev, Manoranjan Khan, and Hem C. Pant. Use of multilayer targets for achieving off-Hugoniot states PHYSICAL REVIEW E 89, p. 053101 (2014).